توسط عضو هیئت‌علمی دانشگاه علم و فرهنگ جهاددانشگاهی محقق شد:

طراحی تقویت‌کننده صوتی کم‌مصرف باکیفیت بالا

۱۲ خرداد ۱۴۰۴ | ۱۲:۵۷ کد : ۸۴۷۹۱ پژوهشی
مقاله علمی دکتر عبدالحسین رضائی، عضو هیئت‌علمی گروه مهندسی برق دانشگاه علم و فرهنگ، با عنوان معماری نوین برای تقویت‌کننده صوتی کلاس D با عملکرد بالا (A novel architecture for high-performance PWM Class-D audio amplifier) در یکی از مجلات معتبر بین‌المللی به چاپ رسید.
طراحی تقویت‌کننده صوتی کم‌مصرف باکیفیت بالا

به گزارش روابط عمومی دانشگاه علم و فرهنگ جهاددانشگاهی، این پژوهش حاصل همکاری علمی میان دانشگاه علم و فرهنگ (ایران) و دانشگاه ساسکاچوان (کانادا) است و نشان‌دهنده توان بالای پژوهشگران ایرانی در توسعه فناوری‌های پیشرفته و حضور مؤثر در عرصه تعاملات علمی بین‌المللی محسوب می‌شود.
 در این تحقیق، ساختاری نوین برای تقویت‌کننده صوتی کلاس D طراحی شده که با هدف کاهش مصرف انرژی و افزایش کیفیت صدای خروجی ارائه شده است. استفاده از تکنیک مدولاسیون عرض پالس (PWM) و طراحی یک فیلتر خروجی نوآورانه، باعث کاهش اعوجاج هماهنگی کلی (THD) تا سطح ۰.۰۰۱ و افزایش نسبت سیگنال به سروصدا (SNR) تا ۷۸ دسی‌بل شده است.
 همچنین بهره‌گیری از ترانزیستورهای MOSFET با سرعت سوئیچینگ بالا در بخش توان، باعث دستیابی به بازدهی ۹۸ درصدی در شرایط ایده‌آل شده است.
 مدار پیشنهادی در این مقاله از معماری تمام پل (Full-Bridge) استفاده می‌کند که با حذف فیلترهای LC بزرگ و جایگزینی آن با فیلتر فعال چندمرحله‌ای، خروجی‌ای پایدار، پرقدرت و باکیفیت بالا فراهم می‌آورد. این مدار در فرکانس ۵ مگاهرتز آزمایش شده و توانسته است توازن مطلوبی میان کیفیت صدا، بازده انرژی و سادگی طراحی برقرار کند.
 تقویت‌کننده‌های کلاس D به دلیل راندمان بالا، کاربرد وسیعی در سیستم‌های صوتی قابل‌حمل، تجهیزات خودرو و دستگاه‌های حرفه‌ای صوتی دارند. نوآوری ارائه‌شده در این مقاله می‌تواند زمینه‌ساز تولید نسل جدیدی از آمپلی‌فایرهای صوتی کم‌مصرف و باکیفیت بالا باشد.
 این مقاله در مجله Analog Integrated Circuits and Signal Processing از انتشارات Springer منتشر شده و در پایگاه علمی Web of Science (ISI) نمایه شده است. ضریب تأثیر (Impact Factor) این مجله ۱.۲ اعلام شده است.

 

کلیدواژه‌ها: جهاددانشگاهی معاونت پژوهش و فناوری دانشگاه علم و فرهنگ دانشگاه ساسکاچوان (کانادا) ترانزیستورهای MOSFET


نظر شما :